Piastrella esagonale in carburo di silicio sinterizzato (SSiC).

La piastrella esagonale in carburo di silicio sinterizzato (SSiC) viene lavorata mediante sinterizzazione senza pressione da polvere di carburo di silicio ultrafine di elevata purezza in un forno a vuoto alla temperatura di 2100°C - 2200°.con prestazioni meccaniche di alta qualità, forte resistenza all'abrasione granulare, alte temperature, in particolare combinate con fogli di gomma come piastra antiusura super resistente all'abrasione o componenti di macchine ad alta efficienza come pompe di azionamento, manicotti, anelli di tenuta, ugelli, boccole ecc.