Piastrella esagonale in carburo di silicio sinterizzato (SSiC)

Le piastrelle esagonali in carburo di silicio sinterizzato (SSiC) vengono prodotte mediante sinterizzazione senza pressione a partire da polvere di carburo di silicio ultrafine ad alta purezza in un forno sottovuoto alla temperatura di 2100 °C – 2200 °C....con prestazioni meccaniche di alto livello, elevata resistenza all'abrasione granulare e alle alte temperature, particolarmente adatte se combinate con fogli di gomma come piastre antiusura super resistenti all'abrasione, o come componenti di macchine ad alta efficienza quali pompe di azionamento, manicotti, anelli di tenuta, ugelli, boccole ecc.